Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 9,4A
RDSon (MOSFET) 0,21 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 48 W
Gehäuse Halbleiter TO252AA
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv