Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 56A
RDSon (MOSFET) 0,0139 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 143 W
Gehäuse Halbleiter TO251AA
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv