Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 55 V
Strom Id (MOSFET) 18A
RDSon (MOSFET) 0,11 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 57 W
Gehäuse Halbleiter TO251AA
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv