Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRG
Ausführung Transistor mit FRED
Kategorie Transistoren IGBT

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UCE 1200 V
Strom Ic 78A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 350 W
Gehäuse Halbleiter TO274AA
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status Restbestand (kein Neueingang)