Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IPA, IKW, IX
Kategorie Transistoren IGBT

Technische Daten

Spannung UCE 1200 V
Strom Ic 60A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 300 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren IXYS (jetzt Littelfuse)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv