Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IPA, IKW, IX
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 500 V
Strom Id (MOSFET) 7A
RDSon (MOSFET) 1,5 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 180 W
Gehäuse Halbleiter TO247AD
Hersteller Transistoren IXYS (jetzt Littelfuse)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv