Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren weitere ...
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 400 V
Strom Ic 0,3A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 0,625 W
Verstärkung hfe >40
Gehäuse Halbleiter TO92 gegurtet
Hersteller Transistoren Fairchild (jetzt ONsemi)

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv