Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor CoolMOS™
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 800 V
Strom Id (MOSFET) 4A
RDSon (MOSFET) 1,3 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 38 W
Gehäuse Halbleiter TO220FP (Fullpak)
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv