Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor CoolMOS™
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 600 V
Strom Id (MOSFET) 1,8A
RDSon (MOSFET) 3 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 25 W
Gehäuse Halbleiter TO220FP (Fullpak)
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv