Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor CoolMOS™
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 650 V
Strom Id (MOSFET) 20,7A
RDSon (MOSFET) 0,19 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 208 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv