Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 60 V
Strom Id (MOSFET) 80A
RDSon (MOSFET) 0,023 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 340 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren Infineon

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv