Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 1000 V
Strom Id (MOSFET) 3,5A
RDSon (MOSFET) 3,7 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 125 W
Gehäuse Halbleiter TO220
Hersteller Transistoren STM

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv