Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren weitere ...
Ausführung Transistor AF-Kleinleistungstransistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren PNP
Spannung UCE 560 V
Strom Ic 0,15A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,0 W
Gehäuse Halbleiter SOT223
Hersteller Transistoren Taiwan Semiconductor

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv