Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren BF
Ausführung Transistor HF-Transistor
Kategorie Transistoren Bipolar-Transistor BJT

Technische Daten

Typ Transistoren NPN
Spannung UCE 300 V
Strom Ic 0,05A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 5,0 W
Gehäuse Halbleiter TO202
Hersteller Transistoren Philips

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv