IRF510

Transistor N-MOSFET 100V 5,6A 0,54R 43W TO220AB

Artikel-Nummer: 502540;0

ab Menge	Preis je Stück
1	0,59 €
5	0,56 €
10	0,55 €
20	0,54 €
50	0,52 €
100	0,49 €

ab 0,59 €

1 Stück = 0,59 €

inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zum Merkzettel hinzufügen

Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 100 V
I_D = 5,6 A
P_tot = 43 W
R_DS(ON) = 0,54 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 5,6A
RDSon (MOSFET) 0,54 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 43 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren VISHAY