IRF640

Transistor N-MOSFET 200V 18A 125W 0,18R TO220AB
Vishay
Artikel-Nummer: 502555;0
ab Menge Preis je Stück
1 0,89
5 0,86
10 0,84
20 0,82
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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 200 V
ID = 18 A
Ptot = 125 W
RDS(ON) = 0,18 W

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
200 V
18A
0,18 Ohm
125 W
TO220AB
VISHAY

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Ja
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