IRFBC40

Transistor N-MOSFET 600V 6,2A 125W 1,2R TO220AB

Artikel-Nummer: 502771;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 600 V
I_D = 6,2 A
P_tot = 125 W
R_DS(ON) = 1,2 Ohm

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 600 V
Strom Id (MOSFET) 6,2A
RDSon (MOSFET) 1,2 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 125 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren VISHAY