IRFBE20

Transistor N-MOSFET 800V 1,8A 54W 6,5R TO220AB

Artikel-Nummer: 502780;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 800 V
I_D = 1,8 A
P_tot = 54 W
R_DS(ON) = 6,5 Ohm

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Hochleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 800 V
Strom Id (MOSFET) 1,8A
RDSon (MOSFET) 6,5 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 54 W
Gehäuse Halbleiter TO220AB
Hersteller Transistoren VISHAY