IRFBG30

Vishay
Artikel-Nummer: 502801;0
Transistor N-MOSFET 1000V 3,1A 125W 5R TO220AB
ab Menge Preis je Stück
1 1,34
3 1,31
5 1,29
10 1,26
20 1,24
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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 1000 V
ID = 3,1 A
Ptot = 125 W
RDS(ON) = 5,0 Ohm

Gehäuse TO220AB

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Hochleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
1000 V
3,1A
5 Ohm
125 W
TO220AB
VISHAY

Lieferangaben

Ja
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