IRFD110

Transistor N-MOSFET 100V 1,0A 1,3W 0,54R DIP4

Artikel-Nummer: 502823;0

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Artikelbeschreibung
Technische Daten

Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

V_DS = 100 V
I_D = 1,0 A
P_tot = 1,3 W
R_DS(ON) = 0,54 Ohm

Gehäuse DIP4

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Kleinleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 1A
RDSon (MOSFET) 0,54 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 1,3 W
Gehäuse Halbleiter DIP 4
Hersteller Transistoren VISHAY