IRFD110

Transistor N-MOSFET 100V 1,0A 1,3W 0,54R DIP4
Vishay
Artikel-Nummer: 502823;0
ab Menge Preis je Stück
1 0,69
10 0,66
20 0,64
50 0,62
100 0,59
ab 0,69
1 Stück = 0,69

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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 100 V
ID = 1,0 A
Ptot = 1,3 W
RDS(ON) = 0,54 Ohm

Gehäuse DIP4

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Kleinleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
1A
0,54 Ohm
1,3 W
DIP 4
VISHAY

Lieferangaben

Ja
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