IRFD120

Transistor N-MOSFET 100V 1,3A 1,3W 0,3R DIP4
Vishay
Artikel-Nummer: 502824;0
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Leistungs-MOSFET

N-Kanal-Typ

VDS = 100 V
ID = 1,3 A
Ptot = 1,3 W
RDS(ON) = 0,30 Ohm

Gehäuse DIP4

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Kleinleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

N-Kanal
100 V
1,3A
0,3 Ohm
1,3 W
DIP 4
VISHAY

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Ja
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