IRFD9110

Transistor P-MOSFET 100V 0,7A 1,3W 1,2R DIP4
Vishay
Artikel-Nummer: 502832;0
ab Menge Preis je Stück
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5 0,66
10 0,64
20 0,62
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Leistungs-MOSFET

P-Kanal-Typ

VDS = 100 V
ID = 0,7 A
Ptot = 1,3 W
RDS(ON) = 1,2 Ohm

Gehäuse DIP4

Dieser Artikel ist RoHS-konform (bleifrei).

Aufbau

Silizium
bedrahtet
IRF
Kleinleistungs-MOSFET
FET

Technische Daten

P-Kanal
100 V
0,7A
1,2 Ohm
1,3 W
DIP 4
VISHAY

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Ja
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