Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 500 V
Strom Id (MOSFET) 6,6A
RDSon (MOSFET) 0,52 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 60 W
Gehäuse Halbleiter TO220FP (Fullpak)
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv