Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Kleinleistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 1,5A
RDSon (MOSFET) 0,54 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 3,1 W
Gehäuse Halbleiter SOT223
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv