Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren P-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 200 V
Strom Id (MOSFET) 3,6A
RDSon (MOSFET) 1,5 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 42 W
Gehäuse Halbleiter TO252AA
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv