Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRF
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 60 V
Strom Id (MOSFET) 7,7A
RDSon (MOSFET) 0,2 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 25 W
Gehäuse Halbleiter TO251AA
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv