Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile bedrahtet
Serie Transistoren IRL
Ausführung Transistor Leistungs-MOSFET LogL
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 100 V
Strom Id (MOSFET) 1A
RDSon (MOSFET) 0,54 Ohm
Leistung Ptot @ Ta=25°C 1,3 W
Gehäuse Halbleiter DIP 4
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status aktiv