Aufbau

Material Halbleiter # Silizium
Bauart Bauteile SMD
Serie Transistoren SI, STP
Ausführung Transistor Doppel-MOSFET
Kategorie Transistoren FET

Technische Daten

Typ Transistoren N-Kanal
Spannung UDS (MOSFET) 20 V
Strom Id (MOSFET) 8,2A
Leistung Ptot @ Ta=25°C 2,0 W
Gehäuse Halbleiter SO 8
Hersteller Transistoren VISHAY

Lieferangaben

RoHS-konform Ja
Status obsolete
Restbestand (kein Neueingang)